檢索結果：共95筆資料 檢索策略： "Graphene".ekeyword (精準) and ckeyword.raw="石墨烯"
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本研究分成四部分，第一部分為以聚碳矽烷作為前驅物的化學氣相沉積法製備矽摻雜石墨烯 (Si-doped graphene, SiG)，以及利用氮氣微波電漿將原石墨烯轉化為氮摻雜石墨烯 (N-doped…
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第一部分：我們針對石墨烯量子點材料提出一個簡單且容易控制的製備方法，我們採用水熱合成法進行高品質與高量子產率的GQDs製備與合成，其藉由氨水來切割以氧化石墨烯為主體的前驅物進而合成出GQDs。而水熱…
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氧化石墨烯片由石墨薄片合成藉由改良的Hummers法，氧化石墨稀分別與氮和硼混合，然後在180℃下水熱反應12小時。 熱差分析曲線表明，與rGO相比，NG，BG和BNG的碳分解溫度轉移到更高的溫度。…
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本實驗係由微波電漿化學氣相層積法製備直立式石墨烯奈米牆，成長於可撓式碳布基材及奈米靜電紡絲所製奈米碳纖維，作為超級電容中的電極材料。透過製程氣體(矽烷、氫氣和甲烷)比例及時間調控，成功製備具有高比表…
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近年來，第三代寬能隙半導體材料氮化鎵被廣泛應用於高頻及高功率元件，然而高功率操作下元件廢熱堆積，會使元件特性衰退，傳統金屬電極也有熱退化問題。本研究在氮化鎵高電子遷移率電晶體(GaN HEMT)基板…
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本研究分為兩部分，第一部分為以聚碳矽烷作為前驅物以化學氣相沉積法製備矽摻雜石墨烯，並以石墨烯作為比較，探討其性質是否不同。我們以拉曼光譜、TEM、XPS、UV-Vis分析其材料特性，在拉曼光譜中的分…
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石墨烯是碳原子依六角形排列之二維材料,具有高電子遷移率、熱傳導度、機械特性與低片電阻等特性,相較於氧化銦錫,單層石墨烯在波長小於 280 nm下依舊維持>90 %之高穿透率,使其成為應用於深紫外光 …
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本論文利用動態光散射(DLS)、UV-vis吸收光譜、PL光激發光光譜、偏光顯微鏡(POM)、掃描式電子顯微鏡(SEM)、以及穿透式電子顯微鏡(TEM)進行一系列老化時間、溫度效應及混摻不同奈米碳材…
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本實驗利用氧氣吸附於石墨烯表面造成其內部之載子濃度改變與電阻率變化，來判斷石墨烯半導體之pn特性。實驗中，利用熱化學氣相沉積法製作石墨烯，並通入不同濃度之氨氣進行改質。一般而言，石墨烯在吸附空氣中之…
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石墨烯(Graphene)被視為很可能改變未來世界的神奇材料，它是一種由碳原子以sp2雜化軌道組成呈六角形蜂巢晶格結構的二維平面薄膜材料，由於具有良好的導電性與透光性，以及輕薄、堅韌、可撓性等優點，…